Numărul de produs al producătorului:
APT20M19JVR
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
APT20M19JVR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 112A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventar:
13252593
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT20M19JVR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
POWER MOS V®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
495 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11640 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ISOTOP®
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Informații suplimentare
Alte nume
150-APT20M19JVR
APT20M19JVR-ND
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
