APT58M50JCU3

Numărul de produs al producătorului:

APT58M50JCU3

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APT58M50JCU3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 58A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventar:

RFQ Online

13257333

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APT58M50JCU3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microsemi

Ambalare

-

Serie

POWER MOS 8™

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

340 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

10800 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

543W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-227

Pachet / Carcasă

SOT-227-4, miniBLOC

Informații suplimentare

Alte nume

150-APT58M50JCU3

APT58M50JCU3-ND

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microsemi

APT94N65B2C3G

MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX

microsemi

APT6M100K

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220

microchip-technology

APT8065SVRG

MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK

APTM10DAM02G

MOSFET N-CH 100V 495A SP6