Numărul de produs al producătorului:
APT94N65B2C3G
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
APT94N65B2C3G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 94A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventar:
13257339
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT94N65B2C3G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 5.8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
580 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13940 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
833W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
T-MAX™ [B2]
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
APT94N65
Informații suplimentare
Alte nume
150-APT94N65B2C3G
APT94N65B2C3G-ND
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT6M100K
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
APT8065SVRG
MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
