Numărul de produs al producătorului:
TN2130K1-G
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
TN2130K1-G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 85mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventar:
5945 Piese Noi Originale În Stoc
12810712
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TN2130K1-G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360mW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-236AB (SOT23)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
TN2130
Fișa de date și documente
Asamblare/Origine PCN
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TN2130K1-GTR
TN2130K1-G-DG
TN2130K1-GCT
TN2130K1-GDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
VN2410L-G
MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
IPI65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
IPP80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3