Numărul de produs al producătorului:
IPI65R099C6XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI65R099C6XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12810721
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI65R099C6XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPI65R099C6XKSA1
INFINFIPI65R099C6XKSA1
SP000895222
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STI33N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STI33N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
VN2410L-G-P013
MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
IRLZ34NS
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
