Numărul de produs al producătorului:

APTM50UM13SAG

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APTM50UM13SAG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 335A SP6

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 335A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6

Inventar:

RFQ Online

13246990

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APTM50UM13SAG Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microchip Technology

Ambalare

Bulk

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

335A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 167.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

800 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

42200 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3290W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SP6

Pachet / Carcasă

SP6

Numărul de bază al produsului

APTM50

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

APTM50UM13SAG High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microsemi

2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO39

JANSR2N7380

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247