Numărul de produs al producătorului:

APTC60DAM35T1G

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APTC60DAM35T1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1

Inventar:

RFQ Online

13247119

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APTC60DAM35T1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

72A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

518 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

14000 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

416W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SP1

Pachet / Carcasă

SP1

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Alte nume

APTC60DAM35T1G-ND

150-APTC60DAM35T1G

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

microchip-technology

APT56M50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264

microchip-technology

APT56M60B2

MOSFET N-CH 600V 60A TO247