Numărul de produs al producătorului:
APT18M80B
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APT18M80B-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 19A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventar:
13254232
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT18M80B Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3760 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 [B]
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
APT18M80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFH16N80P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
295
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH16N80P-DG
PREȚ UNIC
4.52
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPW11N80C3FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2520
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPW11N80C3FKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.49
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT84F50L
MOSFET N-CH 500V 84A TO264
APT26M100JCU2
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
APT32F120J
MOSFET N-CH 1200V 33A ISOTOP
