Numărul de produs al producătorului:

MMIX1F160N30T

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

MMIX1F160N30T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD

Descriere detaliată:

N-Channel 300 V 102A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD

Inventar:

RFQ Online

12820009

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

MMIX1F160N30T Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

300 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

102A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

335 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2800 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

570W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

24-SMPD

Pachet / Carcasă

24-PowerSMD, 21 Leads

Numărul de bază al produsului

MMIX1F160

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

MMIX1F160N30T-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

20

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTP1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB

littelfuse

IXTQ102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

littelfuse

IXTH50N20

MOSFET N-CH 200V 50A TO247

littelfuse

IXFA72N30X3

MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA