Numărul de produs al producătorului:
IXTQ102N20T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ102N20T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12820013
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ102N20T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Trench
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ102
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP90N20DPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
574
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP90N20DPBF-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO247
IXFA72N30X3
MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
IXFR30N110P
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
