Numărul de produs al producătorului:
IXFT30N50Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT30N50Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12820020
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT30N50Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4925 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT30
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTT30N60L2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTT30N60L2-DG
PREȚ UNIC
13.43
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
IXTQ60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
