IXTX6N200P3HV

Numărul de produs al producătorului:

IXTX6N200P3HV

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTX6N200P3HV-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV

Descriere detaliată:

N-Channel 2000 V 6A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247PLUS-HV

Inventar:

RFQ Online

12820277

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTX6N200P3HV Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

Polar P3™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

2000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

143 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3700 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

960W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247PLUS-HV

Pachet / Carcasă

TO-247-3 Variant

Numărul de bază al produsului

IXTX6

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IXTX6N200P3HV-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

-IXTX6N200P3HV

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTN400N15X4

MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B

littelfuse

IXFR40N50Q2

MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247

littelfuse

IXFH60N65X2

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

littelfuse

IXTP14N60PM

MOSFET N-CH 600V 7A TO220