Numărul de produs al producătorului:
IXFH60N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH60N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12820282
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH60N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R060P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
60
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R060P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.01
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
