Numărul de produs al producătorului:
IXFB170N30P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFB170N30P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 170A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventar:
12820287
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFB170N30P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
258 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS264™
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFB170
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
IXFD80N10Q-8XQ
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
IXTA86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO263
