Numărul de produs al producătorului:
IXTU4N70X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTU4N70X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-251-3
Inventar:
13271056
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTU4N70X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
386 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
80W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
IXTU4
Fișa de date și documente
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTU4N70X2
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT11P50-TRL
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
MMIX1T660N04T4
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
IXTA08N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
