Numărul de produs al producătorului:

MMIX1T660N04T4

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

MMIX1T660N04T4-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD

Descriere detaliată:

N-Channel 40 V 660A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD

Inventar:

RFQ Online

13271058

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

MMIX1T660N04T4 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

660A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

0.85mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

860 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±15V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

44000 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

830W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

24-SMPD

Pachet / Carcasă

24-PowerSMD, 21 Leads

Numărul de bază al produsului

MMIX1T660

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

238-MMIX1T660N04T4

Pachet standard

20

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTA08N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263

littelfuse

IXTP12N70X2M

MOSFET N-CH 700V 12A TO220

IXTH30N25L2

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

littelfuse

IXTA64N10L2-TRL

MOSFET N-CH 100V 64A TO263