Numărul de produs al producătorului:
IXTU08N100P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTU08N100P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
12819784
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTU08N100P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251AA
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IXTU08
Informații suplimentare
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFR21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFH80N085
MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
IXFA270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
