Numărul de produs al producătorului:
IXFR21N100Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFR21N100Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819785
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFR21N100Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
350W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR21
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFR32N100Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFR32N100Q3-DG
PREȚ UNIC
31.33
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH80N085
MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
IXFA270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
IXUN280N10
MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
