Numărul de produs al producătorului:
IXTU01N80
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTU01N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 100MA TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
12819071
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTU01N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
50Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251AA
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IXTU01
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP250
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
IXFT180N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B