Numărul de produs al producătorului:
IXFT180N20X3HV
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT180N20X3HV-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventar:
30 Piese Noi Originale În Stoc
12819075
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT180N20X3HV Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268HV (IXFT)
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN140N30P
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
IXFR30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
