IXTR32P60P

Numărul de produs al producătorului:

IXTR32P60P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTR32P60P-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247

Descriere detaliată:

P-Channel 600 V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventar:

RFQ Online

12820296

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTR32P60P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

PolarP™

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

196 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

11100 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

310W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

ISOPLUS247™

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTR32

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTA3N120-TRL

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

littelfuse

IXFN24N100

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

littelfuse

IXFK38N80Q2

MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA

littelfuse

IXTA5N60P

MOSFET N-CH 600V 5A TO263