Numărul de produs al producătorului:
IXFN24N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN24N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820301
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN24N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
267 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
568W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN24
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXFN24N100-NDR
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN32N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN32N100P-DG
PREȚ UNIC
26.21
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
APT22F100J
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT22F100J-DG
PREȚ UNIC
34.58
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
IXTH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
