Numărul de produs al producătorului:
IXTQ69N30PM
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ69N30PM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 25A TO3PFP
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 25A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PFP
Inventar:
13270892
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ69N30PM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4960 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PFP
Pachet / Carcasă
TO-3P-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IXTQ69
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTQ69N30PM
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA05N100-TRL
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
IXTY01N100-TRL
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
IXTP48N20TM
MOSFET N-CH 200V 48A TO220