Numărul de produs al producătorului:
IXTA30N25L2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA30N25L2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 30A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 30A (Tc) 355W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
13270899
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA30N25L2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear L2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
355W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA30
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTA30N25L2
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RCJ220N25TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
988
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCJ220N25TL-DG
PREȚ UNIC
1.17
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP16N85XM
IXFP16N85XM
IXTQ60N20T
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
IXFA3N120-TRR
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263