Numărul de produs al producătorului:
IXTQ180N085T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ180N085T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 85V 180A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 85 V 180A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12818888
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ180N085T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
TrenchMV™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
85 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
430W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ180N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ180N10T-DG
PREȚ UNIC
2.90
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFX34N80
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
IXTK8N150L
MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
