Numărul de produs al producătorului:
IXTQ170N10P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ170N10P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12818895
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ170N10P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
715W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ170
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXTQ170N10P
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4110PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3922
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4110PBF-DG
PREȚ UNIC
2.14
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO263
IXFH14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
IXFH24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
