Numărul de produs al producătorului:
IXTP3N50D2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP3N50D2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
250 Piese Noi Originale În Stoc
12908026
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP3N50D2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1070 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP048RPBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
IXFA10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
IXFR32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
