Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXFA10N80P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFA10N80P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventar:
RFQ Online
12908046
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFA10N80P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA (IXFA)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXFA10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXFA10N80P-DG
Fișe tehnice
IXFA10N80P
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFA10N80P
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB6N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
11994
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB6N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC40ASTRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
600
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC40ASTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.96
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC40STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
800
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC40STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.90
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB12NK80ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
312
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB12NK80ZT4-DG
PREȚ UNIC
2.19
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6004KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6004KNJTL-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFR32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
IRFBF30STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5