Numărul de produs al producătorului:
IXTP3N110
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP3N110-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12820720
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP3N110 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP3
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFBG30PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4495
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBG30PBF-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP3NK90Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
361
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP3NK90Z-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP2R4N120P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
14
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP2R4N120P-DG
PREȚ UNIC
3.25
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTA3N120HV
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA230N04T4
MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
