IXTP2R4N120P
Numărul de produs al producătorului:

IXTP2R4N120P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTP2R4N120P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

14 Piese Noi Originale În Stoc
12820215
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTP2R4N120P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1207 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP2

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXTH102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO247

littelfuse

IXTN30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

littelfuse

IXFN36N60

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

littelfuse

IXTH120N15T

MOSFET N-CH 150V 120A TO247