Numărul de produs al producătorului:
IXTH102N20T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTH102N20T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 102A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12820216
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTH102N20T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Trench
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXTH102
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP90N20DPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
574
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP90N20DPBF-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
IXFN36N60
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
IXTH120N15T
MOSFET N-CH 150V 120A TO247