Numărul de produs al producătorului:
IXTP12N50PM
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP12N50PM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12819839
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
bljH
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP12N50PM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF830APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5605
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFB13N50APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1693
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB13N50APBF-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFR180N085
MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
IXFT23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO268
IXFN170N10
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
