Numărul de produs al producătorului:
IXFR180N085
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFR180N085-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 85 V 180A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819840
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFR180N085 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
85 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
320 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
400W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
HUF75652G3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
450
DiGi NUMĂR DE PARTE
HUF75652G3-DG
PREȚ UNIC
5.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFT23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO268
IXFN170N10
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
IXFX21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
