Numărul de produs al producătorului:
IXTP05N100P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP05N100P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 500mA (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12821391
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP05N100P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Polar
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
196 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP05
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP08N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
285
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP08N100P-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXTQ52N30P
MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
IXFH60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD
