Numărul de produs al producătorului:
IXTN90N25L2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTN90N25L2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 90A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
451 Piese Noi Originale În Stoc
12820445
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTN90N25L2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear L2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
640 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
735W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXTN90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN150N65X2
MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
IXTH120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO247
IXFP22N65X2M
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
