Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXFP22N65X2M
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFP22N65X2M-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
RFQ Online
12820453
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFP22N65X2M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2190 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Isolated Tab
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IXFP22
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXFP22N65X2M-DG
Fișe tehnice
IXFP22N65X2M
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6024ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
464
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6024ENX-DG
PREȚ UNIC
1.57
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STF20N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
303
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF20N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPA60R170CFD7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
255
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
46
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENX-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPAW60R180P7SXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
451
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
IXFA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTQ56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO3P
IXFK80N10Q
MOSFET N-CH TO-264AA