IXTN200N10T
Numărul de produs al producătorului:

IXTN200N10T

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTN200N10T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventar:

12820910
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTN200N10T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
550W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXTN200

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
10

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXFN200N10P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN200N10P-DG
PREȚ UNIC
17.53
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXFH16N80P

MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD

littelfuse

IXTK210P10T

MOSFET P-CH -100V -210A TO-264

littelfuse

IXTA120P065T

MOSFET P-CH 65V 120A TO263

littelfuse

IXTA150N15X4-7

MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7