Numărul de produs al producătorului:
IXTN200N10T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTN200N10T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820910
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTN200N10T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
550W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXTN200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN200N10P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN200N10P-DG
PREȚ UNIC
17.53
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
IXTK210P10T
MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
