Numărul de produs al producătorului:
IXTA120P065T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA120P065T-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Descriere detaliată:
P-Channel 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
12820918
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA120P065T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
TrenchP™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
65 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
298W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA150N15X4-7
MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
IXTH13N110
MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
IXFH140N20X3
MOSFET N-CH 200V 140A TO247
