Numărul de produs al producătorului:
IXTH13N110
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTH13N110-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 1100 V 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12820921
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTH13N110 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
MegaMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
920mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5650 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXTH13
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXTH13N110-NDR
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW12N120K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW12N120K5-DG
PREȚ UNIC
5.41
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH16N120P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
998
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH16N120P-DG
PREȚ UNIC
13.14
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH140N20X3
MOSFET N-CH 200V 140A TO247
IXTA110N12T2
MOSFET N-CH 120V 110A TO263
IXTA200N075T
MOSFET N-CH 75V 200A TO263
