Numărul de produs al producătorului:
IXTN120N25
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTN120N25-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820848
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTN120N25 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
MegaMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
730W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXTN120
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
IXTV03N400S
MOSFET N-CH 4000V 300MA PLUS220
IXFK32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
