IXFK32N100Q3

Numărul de produs al producătorului:

IXFK32N100Q3

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK32N100Q3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

RFQ Online

12820856

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFK32N100Q3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Q3 Class

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

195 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

9940 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1250W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-264AA (IXFK)

Pachet / Carcasă

TO-264-3, TO-264AA

Numărul de bază al produsului

IXFK32

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IXFK32N100Q3-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTC220N075T

MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

littelfuse

IXFN60N60

MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

littelfuse

IXFH26N50P

MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

littelfuse

IXTH6N120

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247