Numărul de produs al producătorului:
IXTM50N20
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTM50N20-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Inventar:
12819638
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTM50N20 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
GigaMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-204AE
Pachet / Carcasă
TO-204AE
Numărul de bază al produsului
IXTM50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
20
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP260NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
12055
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP260NPBF-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFK120N30P3
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
IXFX98N50P3
MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
IXFA56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
