Numărul de produs al producătorului:
IXTH76P10T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTH76P10T-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 76A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
3540 Piese Noi Originale În Stoc
12820987
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTH76P10T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
TrenchP™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
298W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXTH76
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263
IXTH182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO247
IXFQ26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P