IXTH10P50P

Numărul de produs al producătorului:

IXTH10P50P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTH10P50P-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 500V 10A TO247

Descriere detaliată:

P-Channel 500 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

RFQ Online

12821136

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTH10P50P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

PolarP™

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2840 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

300W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247 (IXTH)

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTH10

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFH16N50P

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

littelfuse

IXTT52N30P

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

littelfuse

IXTH1N100

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247

littelfuse

IXFN80N50P

MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B