IXTH1N100

Numărul de produs al producătorului:

IXTH1N100

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTH1N100-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

RFQ Online

12821140

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTH1N100 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

480 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

60W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247 (IXTH)

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXTH1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFN80N50P

MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B

littelfuse

IXFE39N90

MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B

littelfuse

IXTQ102N25T

MOSFET N-CH 250V 102A TO3P

littelfuse

IXFT15N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268