Numărul de produs al producătorului:
IXTA2N100P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA2N100P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
12821554
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA2N100P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
655 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
86W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD3NK100Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1359
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD3NK100Z-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
IXTQ250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
IXFT60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO268
