Numărul de produs al producătorului:
IXFT60N25Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT60N25Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 60A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12821559
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT60N25Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTT82N25P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTT82N25P-DG
PREȚ UNIC
5.71
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFX120N30T
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3
IXTP6N50D2
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
IXFH13N80
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
