Numărul de produs al producătorului:
IXTA2N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA2N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
12820581
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA2N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
825 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA2N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA2N100P-DG
PREȚ UNIC
2.09
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFR26N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
IXTQ48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
IXFH7N80
MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
