Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXFY8N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFY8N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
50 Piese Noi Originale În Stoc
12821551
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFY8N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXFY8N65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXFY8N65X2-DG
Fișe tehnice
IXFY8N65X2
Informații suplimentare
Alte nume
-1402-IXFY8N65X2
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK560P65Y,RQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
4898
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK560P65Y,RQ-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK11P65W,RQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
485
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK11P65W,RQ-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPD80R600P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5056
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD80R600P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R600P7SAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9704
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R600P7SAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK10P60W,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
5042
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK10P60W,RVQ-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO263
IXFH26N55Q
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
IXTA2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
IXFH74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD