Numărul de produs al producătorului:
IXFR80N10Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFR80N10Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 76A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819625
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFR80N10Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR80
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4321PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
228
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4321PBF-DG
PREȚ UNIC
1.36
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
IXFR180N15P
MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247